专利详情

THIẾT BỊ TẠO RA NGUỒN SÁNG TRÊN BỀ MẶT

公开(公告)号：

VN10011488B

公开(公告)日：

2013-07-25

申请号：

VN1201000690

申请日：

2008-04-23

授权日：

2013-06-10

受理局：

越南

专利类型：

授权发明

简单法律状态：

有效

法律状态/事件：

授权

IPC分类号：

F21V8/00

战略新兴产业分类：

电子核心产业

国民经济行业分类号：

C4350 | C3874 | C4090 | C3879

当前申请(专利权)人：

MITSUBISHI RAYON CO., LTD.

原始申请(专利权)人：

MITSUBISHI RAYON CO., LTD.

当前申请(专利权)人地址：

6-41, Konan 1-chome, Minato-ku, Tokyo 108-8506 Japan,JP

工商统一社会信用代码：

工商登记状态：

工商注册地址：

工商成立日期：

工商企业类型：

发明人：

YOSHIYA KURACHI | MINORU SHIMIZU

代理机构：

VCCI-IP CO.,LTD

代理人：

摘要：

Sỏng chế? đề? cậ?p đế?n thiế?t bị? tạ?o ra nguồ?n sỏng trờn bề? mặ?t cú độ? chúi ðýợ?c nâng cao và sự? phân bố? độ? chúi đỏp ứ?ng mong muố?n bao gồ?m: tấ?m dẫ?n sỏng cú bề? mặ?t ỏnh sỏng ði ra và mộ?t hoặ?c nhiề?u bề? mặ?t ỏnh sỏng đế?n, nguồ?n sỏng để? cung cấ?p ỏnh sỏng đế?n bề? mặ?t ỏnh sỏng đế?n, lớ?p khuế?ch tỏn ỏnh sỏng ðýợ?c tạ?o ra trờn mặ?t sau củ?a bề? mặ?t ỏnh sỏng đi ra củ?a tấ?m dẫ?n sỏng, và tấ?m phả?n xạ? ðýợ?c bố? trớ ở? phớa mặ?t sau, trong đú lớ?p khuế?ch tỏn ỏnh sỏng ðýợ?c phân bố? sao cho tỷ? lệ? củ?a diệ?n tớch ðýợ?c chiế?m bở?i lớ?p khuế?ch tỏn ỏnh sỏng tớnh trờn ðừn vị? diệ?n tớch củ?a mặ?t sau tăng lờn khi vị? trớ trong lớ?p khuế?ch tỏn ỏnh sỏng cỏch xa nguồ?n sỏng hừn, và ðộ? nhỏm trung bỡnh 10 điể?m củ?a bề? mặ?t củ?a lớ?p khuế?ch tỏn ỏnh sỏng nằ?m trong khoả?ng từ? 8 m m đế?n 25 m m, và khoả?ng cỏch trung bỡnh giữ?a cỏc rónh và cỏc phầ?n nhụ củ?a bề? mặ?t củ?a lớ?p khuế?ch tỏn ỏnh sỏng nằ?m trong khoả?ng từ? 20 m m đế?n 150 m m.

技术问题语段：

技术功效语段：

权利要求：

Thiết bị tạo ra nguồn sáng trên bề mặt bao gồm: tấm dẫn sáng có bề mặt ánh sáng đi ra và một hoặc nhiều bề mặt ánh sáng đến; nguồn sáng để cung cấp ánh sáng đến bề mặt ánh sáng đến; lớp khuếch tán ánh sáng được tạo ra trên mặt sau của bề mặt ánh sáng đi ra của tấm dẫn sáng; và tấm phản xạ được bố trí ở phía mặt sau, trong đó lớp khuếch tán ánh sáng được phân bố sao cho tỷ lệ của diện tích được chiếm bởi lớp khuếch tán ánh sáng tính trên đơn vị diện tích của mặt sau tăng lên khi vị trí trong lớp khuếch tán ánh sáng cách xa nguồn sáng hơn, và độ nhám trung bình 10 điểm của bề mặt của lớp khuếch tán ánh sáng nằm trong khoảng từ 8μm đến 25μm, và khoảng cách trung bình giữa các rãnh và các phần nhô của bề mặt của lớp khuếch tán ánh sáng nằm trong khoảng từ 20μm đến 150μm. Thiết bị theo điểm 1, trong đó lớp khuếch tán ánh sáng được tạo ra bằng cách in. Thiết bị theo điểm 2, trong đó lớp khuếch tán ánh sáng bao gồm nhựa dính và các hạt mịn. 11488 Thiết bị theo điểm 3, trong đó độ chênh lệch hệ số khúc xạ giữa tấm dẫn sáng và nhựa dính nhỏ hơn hoặc bằng 0,2. Thiết bị theo điểm 4, trong đó độ trên lệch hệ số khúc xạ giữa nhựa dính và các hạt mịn nhỏ hơn hoặc bằng 1,0.

技术领域：

背景技术：

发明内容：

具体实施方式：