国民经济行业分类号：
C4350 | C3874 | C4090 | C3879
摘要：
揭示具有抗反射特徵的光導。揭示吸收光的抗反射特徵。在一些已揭示的實施例中，歸因於離開一光導之非發射邊緣的逆行反射之一波峰可縮減至小於5%或小於1%。
权利要求：
1.一種光導，其包含：一發射區域，其具有一沿著一第一面內方向延伸的發射邊緣；一波導區域；及一非發射區域，其具有一非發射邊緣，且就該波導區域而與該發射區域相對，該非發射邊緣沿著一平行於該第一面內方向的第二面內方向延伸；其中該波導區域實質上為一恆定厚度；且其中該非發射區域包括一抗反射特徵，以藉由該光導內從該發射邊緣行進至該非發射邊緣之可見光的該非發射邊緣來減少可見的逆行反射。
2.如請求項1之光導，其中該抗反射特徵包括設置在該非發射邊緣上的吸收塗料。
3.如請求項1之光導，其中該抗反射特徵包括複數個結構，該複數個結構沿著一正交於該第二面內方向的厚度方向延伸。
4.如請求項3之光導，其中該複數個結構包括線性稜鏡。
5.如請求項3之光導，其中該複數個結構之各者具有一頂角，且各頂角均小於45度。
6.如請求項1之光導，其中該光導為可撓性。
7.如請求項1之光導，其中該抗反射特徵包括設置在該光導之該非發射邊緣上之一吸收帶。
8.如請求項1之光導，其中該抗反射特徵包括設置為近接但並非在該非發射邊緣上之一吸收帶，且其中該吸收帶的定位及該非發射邊緣的形狀係經組態使得至少一些從該發射邊緣入射在該非發射邊緣上的光係耦合至該吸收帶中。
9.如請求項1之光導，其中該抗反射特徵包括近接該非發射邊緣之一急遽密集(abruptly dense)的提取器區域。
10.如請求項1之光導，其中該抗反射特徵包括一奈米結構化抗反射表面。
11.如請求項1之光導，其中該抗反射特徵包括一通道，該通道係近接該非發射邊緣並平行於該非發射邊緣延伸，其中該通道包括碳黑。
12.如請求項1之光導，其中該抗反射特徵包括在該非發射邊緣上之一抗反射塗層。
13.如請求項1之光導，其中該抗反射特徵包括一蛾眼結構。
14.如請求項1之光導，其中該抗反射特徵包括一降頻轉換器。
15.一種背光，其包含如請求項1之光導。
16.一種顯示器，其包含如請求項15之背光。
17.一種平坦光導，其具有一發射邊緣以及當在該發射邊緣將可見光耦合至該光導中時之一特性輸出分布，其中該輸出分布的特徵在於隨極角變動的可見強度，並包含：一主要波峰，其中該主要波峰係由其半高全寬(full width half maximum)界定，其中該主要波峰具有一小於30度的半高全寬，且其中該主要波峰包括該光導之總輸出強度的75%以上；一次要波峰，其包括不大於該光導之該總輸出強度的5%。
18.如請求項17之光導，其中該主要波峰包括該光導之該總輸出強度的80%以上，且該次要波峰包括不大於該光導之該總輸出強度的1%。
19.一種背光，其包含如請求項17之光導。
20.一種顯示器，其包含如請求項19之背光。