表示装置、及び、表示装置の作製方法

公开(公告)号:
JPWO2023094943A1
公开(公告)日:
2023-06-01
申请号:
JP2023563355
申请日:
2022-11-17
授权日:
-
受理局:
日本
专利类型:
发明申请
简单法律状态:
审中
法律状态/事件:
公开
IPC分类号:
-
战略新兴产业分类:
-
国民经济行业分类号:
-
当前申请(专利权)人:
-
原始申请(专利权)人:
-
当前申请(专利权)人地址:
-
工商统一社会信用代码:
-
工商登记状态:
-
工商注册地址:
-
工商成立日期:
-
工商企业类型:
-
发明人:
-
代理机构:
-
代理人:
-
摘要:
信頼性の高い表示装置の作製方法を提供する。 第1の導電層と第2の導電層を形成し、第1の導電層上と第2の導電層上に、第1の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、第1の膜を形成し、第1の膜上に、第1のマスク膜を形成し、第1の膜と第1のマスク膜を加工し、第1の導電層と重なる第1の導電膜上に、第1の層と第1のマスク層を形成し、第1の導電膜の露出した部分を除去し、第1の導電層、第1の層、第1のマスク層と重なる領域に、第3の導電層を形成し、第1のマスク層上と第2の導電層上に、第2の導電膜を形成し、第2の導電膜上に、第2の膜を形成し、第2の膜上に、第2のマスク膜を形成し、第2の膜と第2のマスク膜を加工し、第2の導電層と重なる第2の導電膜上に、第2の層と第2のマスク層を形成し、第2の導電膜の露出した部分を除去し、第2の導電層、第2の層、第2のマスク層と重なる領域に、第4の導電層を形成する。
技术问题语段:
-
技术功效语段:
-
权利要求:
 第1の発光デバイスと、第2の発光デバイスと、絶縁層と、を有し、  前記第1の発光デバイスは、第1の導電層と、前記第1の導電層上の第2の導電層と、前記第2の導電層上の第1の層と、前記第1の層上の共通電極と、を有し、  前記第2の発光デバイスは、第3の導電層と、前記第3の導電層上の第4の導電層と、前記第4の導電層上の第5の導電層と、前記第5の導電層上の第2の層と、前記第2の層上の前記共通電極と、を有し、  前記第5の導電層は、前記第3の導電層の上面及び側面、並びに前記第4の導電層の上面及び側面を覆い、  前記第5の導電層の端部と、前記第2の層の端部とは、重なり、  前記絶縁層は、前記第1の層の上面の一部及び側面と、前記第5の導電層及び前記第2の層のそれぞれ上面の一部及び側面と、に重なり、  前記共通電極は、前記第1の層上、前記第2の層上、及び前記絶縁層上に設けられる、  表示装置。  請求項1において、  前記第2の導電層、前記4の導電層、及び前記第5の導電層は、それぞれ酸化物導電層を有する、  表示装置。  請求項1又は請求項2において、  前記絶縁層は、側面にテーパ形状を有する、  表示装置。  請求項1乃至請求項3のいずれか一において、  前記絶縁層は、有機絶縁材料を有する、  表示装置。  第1の導電層及び第2の導電層を形成し、  前記第1の導電層上及び前記第2の導電層上に、第1の導電膜を形成し、  前記第1の導電膜上に、第1の膜を形成し、  前記第1の膜上に、第1のマスク膜を形成し、  前記第1の膜及び前記第1のマスク膜を加工して、前記第1の導電層と重なる前記第1の導電膜上に、第1の層及び第1のマスク層を形成し、  前記第1の導電膜の露出した部分を除去して、前記第1の導電層、前記第1の層、及び前記第1のマスク層と重なる領域に、第3の導電層を形成し、  前記第1のマスク層上及び前記第2の導電層上に、第2の導電膜を形成し、  前記第2の導電膜上に、第2の膜を形成し、  前記第2の膜上に、第2のマスク膜を形成し、  前記第2の膜及び前記第2のマスク膜を加工して、前記第2の導電層と重なる前記第2の導電膜上に、第2の層及び第2のマスク層を形成し、  前記第2の導電膜の露出した部分を除去して、前記第2の導電層、前記第2の層、及び前記第2のマスク層と重なる領域に、第4の導電層を形成する、  表示装置の作製方法。  請求項5において、  前記第4の導電層を形成後に、前記第1のマスク層上及び前記第2のマスク層上に、第1の絶縁膜を形成し、  前記第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成し、  前記第2の絶縁膜を加工して、前記第1の導電層と前記第2の導電層に挟まれる領域に、絶縁層を形成し、  前記絶縁層をマスクに用いてエッチング処理を行って、前記第1の絶縁膜、前記第1のマスク層、及び前記第2のマスク層を加工して、前記第1の層の上面及び前記第2の層の上面を露出させ、  前記第1の層、前記第2の層、及び前記絶縁層を覆って、共通電極を形成する、  表示装置の作製方法。  第1の導電層及び第2の導電層と、前記第1の導電層上の第3の導電層と、前記第2の導電層上の第4の導電層と、を形成し、  前記第3の導電層上及び前記第4の導電層上に、第1の膜を形成し、  前記第1の膜上に、第1のマスク膜を形成し、  前記第1の膜及び前記第1のマスク膜を加工して、前記第1の導電層及び前記第3の導電層と重なる領域に、第1の層及び第1のマスク層を形成し、  前記第1のマスク層上及び前記第4の導電層上に、導電膜を形成し、  前記導電膜上に、第2の膜を形成し、  前記第2の膜上に、第2のマスク膜を形成し、  前記第2の膜及び前記第2のマスク膜を加工して、前記第2の導電層及び前記第4の導電層と重なる領域に、第2の層及び第2のマスク層を形成し、  前記導電膜の露出した部分を除去して、前記第2の導電層及び前記第4の導電層、前記第2の層、及び前記第2のマスク層と重なる領域に、第5の導電層を形成する、  表示装置の作製方法。  請求項7において、  前記第5の導電層を形成後に、前記第1のマスク層上及び前記第2のマスク層上に、第1の絶縁膜を形成し、  前記第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成し、  前記第2の絶縁膜を加工して、前記第1の導電層及び前記第3の導電層と、前記第2の導電層及び前記第4の導電層と、に挟まれる領域に、絶縁層を形成し、  前記絶縁層をマスクに用いてエッチング処理を行って、前記第1の絶縁膜、前記第1のマスク層、及び前記第2のマスク層を加工して、前記第1の層の上面及び前記第2の層の上面を露出させ、  前記第1の層、前記第2の層、及び前記絶縁層を覆って、共通電極を形成する、  表示装置の作製方法。  請求項5乃至請求項8において、  前記第3の導電層及び前記第4の導電層は、酸化物導電層を用いて形成する、  表示装置の作製方法。  請求項7又は請求項8において、  前記第5の導電層は、酸化物導電層を用いて形成する、  表示装置の作製方法。  請求項5乃至請求項10のいずれか一において、  前記エッチング処理は、第1のエッチング処理と、第2のエッチング処理と、に分けて行い、  前記絶縁層をマスクに用いた前記第1のエッチング処理では、前記第1の絶縁膜、前記第1のマスク層、及び前記第2のマスク層を加工して、前記第1の絶縁膜の一部を除去し、かつ、前記第1のマスク層の一部及び前記第2のマスク層の一部の膜厚を薄くし、  加熱処理を行った後に、  前記絶縁層をマスクに用いた前記第2のエッチング処理では、前記第1のマスク層の一部及び前記第2のマスク層の一部を除去し、前記第1の層の上面及び前記第2の層の上面を露出させる、  表示装置の作製方法。  請求項11において、  前記第1のエッチング処理及び前記第2のエッチング処理は、ウェットエッチングによって行う、  表示装置の作製方法。  請求項5乃至請求項12のいずれか一において、  前記第1の絶縁膜として、ALD法を用いて、酸化アルミニウム膜を成膜し、  前記第1のマスク膜及び前記第2のマスク膜として、それぞれALD法を用いて、酸化アルミニウム膜を成膜する、  表示装置の作製方法。  請求項5乃至請求項13のいずれか一において、  前記第2の絶縁膜は、感光性のアクリル樹脂を用いて形成する、  表示装置の作製方法。
技术领域:
は、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。  なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、照明装置、入力装置(例えば、タッチセンサ)、入出力装置(例えば、タッチパネル)、これらの装置を有する表示モジュール、当該表示モジュールを有する電子機器、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。  近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されている。例えば、大型の表示装置の用途としては、家庭用のテレビジョン装置
背景技术:
レビジョン受信機ともいう。)、デジタルサイネージ(Digital Signage:電子看板)、及び、PID(Public Information Display)等が挙げられる。また、携帯情報端末として、タッチパネルを備えるスマートフォン又はタブレット端末などの開発が進められている。  また、表示装置の高精細化が求められている。高精細な表示装置が要求される機器として、例えば、仮想現実(VR:Virtual Reality)、拡張現実(AR:Augmented Reality)、代替現実(SR:Substitutional Reality)、及び、複合現実(MR:Mixed Reality)向けの機器が、盛んに開発されている。  表示装置としては、例えば、発光デバイス(発光素子ともいう。)を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence、以下ELと記す。)現象を利用した発光デバイス(ELデバイス、EL素子ともいう。)は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。  特許文献1には、有機ELデバイス(有機EL素子ともいう。)を用いた、VR向けの表示装置が開示されている。 国際公開第2018/087625号  本発明の一態様は、高輝度での表示が可能な表示装置を提供することを課題の1つとする。本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することを課題の1つとする。本発明の一態様は、高解像度の表示装置を提供することを課題の1つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の1つとする。  本発明の一態様は、高精細な表示装置の作製方法を提供することを課題の1つとする。本発明の一態様は
发明内容:
装置の作製方法を提供することを課題の1つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の1つとする。本発明の一態様は、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供することを課題の1つとする。  なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。  本発明の一態様は、第1の発光デバイスと、第2の発光デバイスと、絶縁層と、を有し、第1の発光デバイスは、第1の導電層と、第1の導電層上の第2の導電層と、第2の導電層上の第1の層と、第1の層上の共通電極と、を有し、第2の発光デバイスは、第3の導電層と、第3の導電層上の第4の導電層と、第4の導電層上の第5の導電層と、第5の導電層上の第2の層と、第2の層上の共通電極と、を有し、第5の導電層は、第3の導電層の上面及び側面、並びに第4の導電層の上面及び側面を覆い、第5の導電層の端部と、第2の層の端部とは、重なり、絶縁層は、第1の層の上面の一部及び側面と、第5の導電層及び第2の層のそれぞれ上面の一部及び側面と、に重なり、共通電極は、第1の層上、第2の層上、及び絶縁層上に設けられている表示装置である。  また上記において、第2の導電層、4の導電層、及び第5の導電層は、それぞれ酸化物導電層を有していることが好ましい。  また上記において、絶縁層は、側面にテーパ形状を有していることが好ましい。  また上記において、絶縁層は、有機絶縁材料を有していることが好ましい。  また、本発明の一態様は、第1の導電層及び第2の導電層を形成し、第1の導電層上及び第2の導電層上に、第1の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、第1の膜を形成し、第1の膜上に、第1のマスク膜を形成し、第1の膜及び第1のマスク膜を加工して、第1の導電層と重なる第1の導電膜上に、第1の層及び第1のマスク層を形成し、第1の導電膜の露出した部分を除去して、第1の導電層、第1の層、及び第1のマスク層と重なる領域に、第3の導電層を形成し、第1のマスク層上及び第2の導電層上に、第2の導電膜を形成し、第2の導電膜上に、第2の膜を形成し、第2の膜上に、第2のマスク膜を形成し、第2の膜及び第2のマスク膜を加工して、第2の導電層と重なる第2の導電膜上に、第2の層及び第2のマスク層を形成し、第2の導電膜の露出した部分を除去して、第2の導電層、第2の層、及び第2のマスク層と重なる領域に、第4の導電層を形成する表示装置の作製方法である。  また上記において、第4の導電層を形成後に、第1のマスク層上及び第2のマスク層上に、第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜を加工して、第1の導電層と第2の導電層に挟まれる領域に、絶縁層を形成し、絶縁層をマスクに用いてエッチング処理を行って、第1の絶縁膜、第1のマスク層、及び第2のマスク層を加工して、第1の層の上面及び第2の層の上面を露出させ、第1の層、第2の層、及び絶縁層を覆って、共通電極を形成することが好ましい。  また、本発明の一態様は、第1の導電層及び第2の導電層と、第1の導電層上の第3の導電層と、第2の導電層上の第4の導電層と、を形成し、第3の導電層上及び第4の導電層上に、第1の膜を形成し、第1の膜上に、第1のマスク膜を形成し、第1の膜及び第1のマスク膜を加工して、第1の導電層及び第3の導電層と重なる領域に、第1の層及び第1のマスク層を形成し、第1のマスク層上及び第4の導電層上に、導電膜を形成し、導電膜上に、第2の膜を形成し、第2の膜上に、第2のマスク膜を形成し、第2の膜及び第2のマスク膜を加工して、第2の導電層及び第4の導電層と重なる領域に、第2の層及び第2のマスク層を形成し、導電膜の露出した部分を除去して、第2の導電層及び第4の導電層、第2の層、及び第2のマスク層と重なる領域に、第5の導電層を形成する表示装置の作製方法である。  また上記において、第5の導電層を形成後に、第1のマスク層上及び第2のマスク層上に、第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜を加工して、第1の導電層及び第3の導電層と、第2の導電層及び第4の導電層と、に挟まれる領域に、絶縁層を形成し、絶縁層をマスクに用いてエッチング処理を行って、第1の絶縁膜、第1のマスク層、及び第2のマスク層を加工して、第1の層の上面及び第2の層の上面を露出させ、第1の層、第2の層、及び絶縁層を覆って、共通電極を形成することが好ましい。  また上記において、第3の導電層及び第4の導電層は、酸化物導電層を用いて形成することが好ましい。  また上記において、第5の導電層は、酸化物導電層を用いて形成することが好ましい。  また上記において、エッチング処理は、第1のエッチング処理と、第2のエッチング処理と、に分けて行い、絶縁層をマスクに用いた第1のエッチング処理では、第1の絶縁膜、第1のマスク層、及び第2のマスク層を加工して、第1の絶縁膜の一部を除去し、かつ、第1のマスク層の一部及び第2のマスク層の一部の膜厚を薄くし、加熱処理を行った後に、絶縁層をマスクに用いた第2のエッチング処理では、第1のマスク層の一部及び第2のマスク層の一部を除去し、第1の層の上面及び第2の層の上面を露出させることが好ましい。  また上記において、第1のエッチング処理及び第2のエッチング処理は、ウェットエッチングによって行うことが好ましい。  また上記において、第1の絶縁膜として、ALD法を用いて、酸化アルミニウム膜を成膜し、第1のマスク膜及び第2のマスク膜として、それぞれALD法を用いて、酸化アルミニウム膜を成膜することが好ましい。  また上記において、第2の絶縁膜は、感光性のアクリル樹脂を用いて形成することが好ましい。  本発明の一態様により、高輝度での表示が可能な表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、高精細な表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、高解像度の表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供することができる。  本発明の一態様により、高精細な表示装置の作製方法を提供することができる。本発明の一態様により、高解像度の表示装置の作製方法を提供することができる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することができる。本発明の一態様により、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供することができる。  なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。 図1Aは、表示装置の一例を示す上面図である。図1Bは、表示装置の一例を示す断面図である。図1Cは、第1の層の一例を示す上面図である。 図2A及び図2Bは、表示装置の一例を示す断面図である。 図3A及び図3Bは、表示装置の一例を示す断面図である。 図4A及び図4Bは、表示装置の一例を示す断面図である。 図5A及び図5Bは、表示装置の一例を示す断面図である。 図6A及び図6Bは、表示装置の一例を示す断面図である。 図7Aは、表示装置の一例を示す断面図である。図7B及び図7Cは画素電極の一例を示す断面図である。 図8A乃至図8Cは、表示装置の一例を示す断面図である。 図9A及び図9Bは、表示装置の一例を示す断面図である。 図10A乃至図10Cは、表示装置の一例を示す断面図である。 図11A及び図11Bは、表示装置の一例を示す断面図である。 図12A及び図12Bは、表示装置の一例を示す断面図である。 図13Aは、表示装置の一例を示す上面図である。図13Bは、表示装置の一例を示す断面図である。 図14A乃至図14Cは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図15A乃至図15Cは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図16A乃至図16Cは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図17A乃至図17Cは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図18A乃至図18Cは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図19A乃至図19Cは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図20A乃至図20Cは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図21A乃至図21Cは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図22A乃至図22Fは、表示
具体实施方式:
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